Yb:YAG Yb:YAG es uno de los materiales activos por láser más prometedores y más adecuado para el bombeo de diodos que los sistemas dopados con Nd tradicionales. En comparación con el cristal Nd:YAG utilizado por la empresa, el cristal Yb:YAG tiene un ancho de banda de absorción mucho mayor para reducir los requisitos de gestión térmica para los láseres de diodo, una vida útil más prolongada del nivel superior del láser y una carga térmica tres o cuatro veces menor por unidad de potencia de bombeo. VENTAJAS ● Calentamiento fraccional muy bajo, menos del 11 % ● Deficiencia de pendiente muy alta ● Bandas de absorción amplias, alrededor de 8 nm a 940 nm ● Sin absorción de estado excitado o conversión ascendente ● Bombeo conveniente mediante diodos de GaAs confiables ● Alta conductividad térmica a 940 nm ( o 970nm) ● Alta calidad óptica ● Plano/plano ● Paralelo/antiparalelo en cuña ● Ángulo de Brewster ● Radios cóncavos/convexos ● Cilindro ranurado
Specifications
Material | Yb:YAG |
Yb-dopant concentration | 0.5%--25at% |
Orientation | or |
Dimensions | Diameter:2mm-50mm, Length:5-180mm(Upon customer’s request) |
Clear aperture | Central 95% |
Extinction Ratio | >30dB (depends on actual size) |
Diameter Tolerance | +0/-0.02mm |
Length tolerance | +0.5/-0mm |
Flatness | <λ/10@632.8nm |
Damage Threshold | >700MW/cm2 @10ns 10HZ |
Barrel Finish | Ground Finish 400#Grit |
Scratch/Dig | 10-5@MIL-0-13830A |
Parallelism | <10 arc seconds |
Perpendicularity | <5 arc minutes |
Wavefront Distortion | λ/8 per inch @632.8nm |
Anti-Reflection coating | R<0.2%@1030nm per surface |
Properties
Laser transition | 2F5/2 →2F7/2 |
Laser Wavelength | 1030nm |
Photon Energy | 1.93*10ˉ19 J@1030nm |
Emission Linewidth | 9nm |
Fluorescence Lifetime | 1.2ms |
Diode pump Band | 940nm or 970nm |
Pump Absorption Band Width | 8nm |
Index of Refraction | 1.82@1030nm |
Loss Coefficient | 0.003 cm-1 |
