ZnGeP2 Nuestro grupo de investigación se ha centrado durante mucho tiempo en la investigación del crecimiento y la optimización del rendimiento del cristal de fosfuro de germanio y zinc (ZnGeP2, ZGP). A través de un extenso estudio e innovación técnica, se han superado muchas barreras técnicas en el crecimiento del cristal y se han dominado con éxito las técnicas de crecimiento horizontal y vertical del cristal ZnGeP2 de alta calidad. Ahora podemos ofrecer cristales y dispositivos de ZnGep2 con tamaños y orientaciones estándar en escala masiva y también podemos suministrar… VENTAJAS ● Tecnología avanzada de síntesis policristalina. ● Tecnología avanzada de crecimiento de cristales: Método horizontal. ● Tecnología avanzada de crecimiento de cristales: Método vertical. ● Tecnología de tratamiento de superficies ultrafinas. ● Tecnologías precisas de orientación y corte. ● Producción de dispositivos de alto rendimiento.
Due to possessing large nonlinear coefficients(d36=75pm/V), wide infrared transparency range(0.75-12um), high thermal conductivity(0.35W/(cm ·K)), high laser damage threshold(2-5L/cm²) and well machining property, ZnGeP2 crystal was called the king of infrared nonlinear optical crystals and is still the best frequency conversion material for high power, tunable infrared laser generation.
Cryslaser can offer high optical quality ZGP crystals with extremely low absorption coefficient α<0.04/cm(at pump wavelengths 2.0-2.1um), which can caused to generate mid-infrared tunable laser with high efficiency through OPO or OPA process.
Specifications
Crystal Structure | Quartet system |
Cell Parameters | a=b=54.76nm，c=107.31nm |
Size | 6x6x15mm 6x8x20mm |
Phase match type | Type I or Type II |
Direction deviation | ≤0.5° |
Absorption | ≤0.05cm-1 @ 2μm |
Flatness | ≤λ/6 @632.8nm |
Parallelism | ≤10" |
Perpendicularity | ≤5′ |
Surface quality | 20/10(MIL-O-13830A) |
Melting point | 1027℃ |
Density | 4.18g/cm3 |
Microhardness | 980 ± 80 kg/mm2 |
Moh's hardness | 5.5 |
Band width | 2.34/2.08 eV |
Semiconductor type | P |
Thermal conductivity | 180 mW/(cm·K) |
Transmission range | 0.76 to 12.0μm |
Nonlinear coefficient | d36=75 ± 8 pm/V |
